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Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Thermal Modelling of Microwave Bipolar Transistor from 3D finite Element Simulation

A. Xiong
  • Fonction : Auteur
R. Sommet
A. De Souza
  • Fonction : Auteur
R. Quéré
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02359128 , version 1 (12-11-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02359128 , version 1

Citer

A. Xiong, R. Sommet, A. De Souza, R. Quéré. Thermal Modelling of Microwave Bipolar Transistor from 3D finite Element Simulation. ESA, ESA, 2008, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-02359128⟩

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