Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 and SiO2 nanostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 and SiO2 nanostructures

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02339985 , version 1 (30-10-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02339985 , version 1

Citer

Bruno Lee Sang, Abdelatif Jaouad, Serge Ecoffey, Maxime Darnon, Marie-Josee Gour, et al.. Inductively coupled plasma etching of ultra-shallow Si3N4 and SiO2 nanostructures. 40th Micro and Nano Engineering Conference, Sep 2014, Lausanne, Switzerland. ⟨hal-02339985⟩
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