Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2011
Christian Turquat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-02266382
Soumis le : samedi 28 novembre 2020-15:07:43
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Citer
Ch. Muller, D. Deleruyelle, R. Müller, M. Thomas, A. Demolliens, et al.. Resistance change in memory structures integrating CuTCNQ nanowires grown on dedicated HfO2 switching layer. Solid-State Electronics, 2011, 56 (1), pp.168-174. ⟨10.1016/j.sse.2010.10.006⟩. ⟨hal-02266382⟩
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