Conception et implémentation d’un déphaseur actif à 5,8 GHz, intégré en technologie BiCMOS SiGe:C 0,25 µm, pour la formation de faisceau - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2019
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-02083067 , version 1 (28-03-2019)

Identifiants

  • HAL Id : hal-02083067 , version 1

Citer

Mariem Kanoun, Bhanu Pratap, David Cordeau, Jean-Marie Paillot, Hassene Mnif, et al.. Conception et implémentation d’un déphaseur actif à 5,8 GHz, intégré en technologie BiCMOS SiGe:C 0,25 µm, pour la formation de faisceau. XXIèmes Journées Nationales Microondes, May 2019, Caen, France. ⟨hal-02083067⟩
26 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More