Depth strain profile with sub-nm resolution in a thin silicon film using medium energy ion scattering - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (a) Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01965024 , version 1 (24-12-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01965024 , version 1

Citer

D. Jalabert, D. Pelloux-Gervais, A. Béché, J. Hartmann, P. Gergaud, et al.. Depth strain profile with sub-nm resolution in a thin silicon film using medium energy ion scattering. physica status solidi (a), 2012, 209 (2), pp.262-265. ⟨hal-01965024⟩
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