Room temperature laser operation of strained InGaAs∕GaAs QW structure monolithically grown by MOVCD on LE-PECVD Ge∕Si virtual substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2003

Room temperature laser operation of strained InGaAs∕GaAs QW structure monolithically grown by MOVCD on LE-PECVD Ge∕Si virtual substrate

Y. Chriqui
  • Fonction : Auteur
J.-M. Moison
  • Fonction : Auteur
H. von Kaenel
  • Fonction : Auteur
I. Sagnes
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01939874 , version 1 (29-11-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01939874 , version 1

Citer

Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moison, G. Isella, et al.. Room temperature laser operation of strained InGaAs∕GaAs QW structure monolithically grown by MOVCD on LE-PECVD Ge∕Si virtual substrate. Electronics Letters, 2003, 39 (23), pp.1658. ⟨hal-01939874⟩
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