Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2003
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https://hal.science/hal-01939874
Soumis le : jeudi 29 novembre 2018-19:00:49
Dernière modification le : mercredi 11 décembre 2024-14:36:22
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01939874 , version 1
Citer
Y. Chriqui, G. Saint-Girons, S. Bouchoule, J.-M. Moison, G. Isella, et al.. Room temperature laser operation of strained InGaAs∕GaAs QW structure monolithically grown by MOVCD on LE-PECVD Ge∕Si virtual substrate. Electronics Letters, 2003, 39 (23), pp.1658. ⟨hal-01939874⟩
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