Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Poster De Conférence Année : 2018

Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si

Résumé

III-V/Si epitaxial nanostructure materials are quite promising candidates for the development of Si photonics. We deeply investigate the structural and optical properties of an InGaP/SiGe/Si platform by transmission electron microscopy, X-ray diffraction, energy-dispersive X-ray elemental mapping and photoluminescence techniques and we demonstrate the contribution of 2D-vertical In-rich antiphase boundaries (APBs) to the photoluminescence. The nonstoichiometric In-rich APB structures are found to be responsible for the localization of excitons.
Fichier principal
Vignette du fichier
FOTON-MBE-Chenlipin-PDF.pdf (1.17 Mo) Télécharger le fichier
MBE2018.docx (492.4 Ko) Télécharger le fichier
MBE2018.pdf (632.11 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-01909074 , version 1 (09-11-2018)
hal-01909074 , version 2 (19-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01909074 , version 1

Citer

Lipin Chen, Oliver Skibitzki, Yoan Léger, Christophe Levallois, Rozenn Piron, et al.. Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si. 20th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2018), Sep 2018, Shanghai, China. 2018. ⟨hal-01909074v1⟩
142 Consultations
37 Téléchargements

Partager

Gmail Mastodon Facebook X LinkedIn More