Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si - Archive ouverte HAL
Poster De Conférence Année : 2018

Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si

Lipin Chen
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Oliver Skibitzki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1035998
Innovations for High Performance Microelectronics
Yoan Léger
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Christophe Levallois
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Rozenn Piron
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Tony Rohel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 872790
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Julie Stervinou
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Antoine Létoublon
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Thomas Schroeder
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1035999
Innovations for High Performance Microelectronics
Charles Cornet
Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV

Résumé

III-V/Si epitaxial nanostructure materials are quite promising candidates for the development of Si photonics. We deeply investigate the structural and optical properties of an InGaP/SiGe/Si platform by transmission electron microscopy, X-ray diffraction, energy-dispersive X-ray elemental mapping and photoluminescence techniques and we demonstrate the contribution of 2D-vertical In-rich antiphase boundaries (APBs) to the photoluminescence. The nonstoichiometric In-rich APB structures are found to be responsible for the localization of excitons.

Domaines

Matériaux et structures en mécanique [physics.class-ph] Physique Quantique [quant-ph]
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Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

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Soumis le : vendredi 9 novembre 2018-15:59:39

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

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Dates et versions

hal-01909074 , version 1 (09-11-2018)
hal-01909074 , version 2 (19-06-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01909074 , version 1

Citer

Lipin Chen, Oliver Skibitzki, Yoan Léger, Christophe Levallois, Rozenn Piron, et al.. Photoluminescence of 2D-vertical In-rich APBs embedded in InGaP/SiGe/Si. 20th International Conference on Molecular-Beam Epitaxy (ICMBE 2018), Sep 2018, Shanghai, China. 2018. ⟨hal-01909074v1⟩

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