Structural & Spectroscopic Study of InAs/InP Quantum Dots for Dual-Frequency Laser Engineering
Etude structurale et spectroscopique de boites quantiques InAs/InP pour la réalisation d'un VECSEL bi-fréquence
Résumé
Nous développons un nouveau type de dispositif photonique consistant en une source laser bi-fréquence unique, combinant à la fois haute finesse spectrale, faible bruit et haute puissance, en vue de bénéficier de fréquence de battement dans le régime THz. L’originalité réside dans l’utilisation conjointe d’une architecture de type VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) et d’une zone active à boites quantiques InAs/InP, présentant un gain avec un fort caractère inhomogène. Dans ce cadre, il est nécessaire de jouer sur la densité et la largeur homogène des boites quantiques. Nous montrons ici via des caractérisations spectroscopiques (photoluminescence et saturation du gain) et structurales comment ces paramètres peuvent être contrôlés.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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