Article Dans Une Revue
Journal of New Technology and Materials
Année : 2014
Luc FAVRE : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01811404
Soumis le : vendredi 8 juin 2018-19:58:29
Dernière modification le : mardi 5 décembre 2023-18:08:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01811404 , version 1
Citer
S. Gouder, R. Mahamdi, Mansour Aouassa, S. Escoubas, Luc Favre, et al.. FTIR and AFM studies of the Ge on Porous Silicon/Si substrate hetero-structure obtained by molecular beam epitaxy. Journal of New Technology and Materials, 2014, 4 (1), pp.112--115. ⟨hal-01811404⟩
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