FTIR and AFM studies of the Ge on Porous Silicon/Si substrate hetero-structure obtained by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of New Technology and Materials Année : 2014

FTIR and AFM studies of the Ge on Porous Silicon/Si substrate hetero-structure obtained by molecular beam epitaxy

Domaines

Matière Condensée [cond-mat]

Luc FAVRE  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01811404

Soumis le : vendredi 8 juin 2018-19:58:29

Dernière modification le : lundi 10 juin 2024-16:58:03

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Dates et versions

hal-01811404 , version 1 (08-06-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01811404 , version 1

Citer

S. Gouder, R. Mahamdi, Mansour Aouassa, S. Escoubas, Luc Favre, et al.. FTIR and AFM studies of the Ge on Porous Silicon/Si substrate hetero-structure obtained by molecular beam epitaxy. Journal of New Technology and Materials, 2014, 4 (1), pp.112--115. ⟨hal-01811404⟩

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