Sidewall roughness characterization of a 20nm half-pitch resist-core spacer patterning process - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Sidewall roughness characterization of a 20nm half-pitch resist-core spacer patterning process

Domaines

Physique [physics]
Dupuy2014.pdf (1.18 Mo) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01798132

Soumis le : mardi 8 novembre 2022-22:46:54

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Télécharger pour visualiser

Dates et versions

hal-01798132 , version 1 (08-11-2022)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01798132 , version 1

Citer

E. Dupuy, M. Fouchier, E. Pargon, Pradelles J., H. Grampeix, et al.. Sidewall roughness characterization of a 20nm half-pitch resist-core spacer patterning process. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM 2014), 7th International Workshop, May 2014, Grenoble, France. ⟨hal-01798132⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING DRT LETI CEA-GRE
41 Consultations
11 Téléchargements

Partager

More