Deep Levels induced by a negative bias stress applied on commercial VDMOSFET transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01796924 , version 1 (22-05-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01796924 , version 1

Citer

N. Abboud, R. Habchi, Y. Cuminal, A. Foucaran, C. Salame. Deep Levels induced by a negative bias stress applied on commercial VDMOSFET transistor. Abstracts of the Materials Research Society spring meeting (MRS), 2011, San Francisco, United States. ⟨hal-01796924⟩
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