Communication Dans Un Congrès
Année : 2011
Dauverchain Eric : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01796924
Soumis le : mardi 22 mai 2018-10:24:23
Dernière modification le : mercredi 7 février 2024-15:42:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01796924 , version 1
Citer
N. Abboud, R. Habchi, Y. Cuminal, A. Foucaran, C. Salame. Deep Levels induced by a negative bias stress applied on commercial VDMOSFET transistor. Abstracts of the Materials Research Society spring meeting (MRS), 2011, San Francisco, United States. ⟨hal-01796924⟩
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