Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process

F Leverd
  • Fonction : Auteur
R Palla
  • Fonction : Auteur
D Delille
  • Fonction : Auteur
S Borel
  • Fonction : Auteur
Sophie Jullian
  • Fonction : Auteur
R Pantel
  • Fonction : Auteur
S Descombes
  • Fonction : Auteur
D Dutartre
  • Fonction : Auteur
Y Morand
  • Fonction : Auteur
Mp Samson
  • Fonction : Auteur
D Lenoble
  • Fonction : Auteur
A Talbot
  • Fonction : Auteur
A Villaret
  • Fonction : Auteur
S Monfray
  • Fonction : Auteur
P Mazoyer
  • Fonction : Auteur
J Bustos
  • Fonction : Auteur
H Brut
  • Fonction : Auteur
A Cros
  • Fonction : Auteur

Résumé

Utilizing the SON (Silicon On Nothing) process, highly performant double gate devices have been processed in a planar configuration. Two families of devices were obtained (High Performance and Low Power) with very-high Ion/Ioff trade off. Drive currents of 1954muA/mum (Ioff = 283 nA/mum) and 1333 muA/mum (Ioff = 1 nA/mum) are obtained @1.2V with Tox = 20A and Lgate = 70nm. DIBL is very well controlled, measured below 60mV for gates as short as 40nm. These features place our devices among the most performant ever reported.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01759525 , version 1 (05-04-2018)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01759525 , version 1

Citer

S Harrison, P Coronel, F Leverd, R Cerutti, R Palla, et al.. Highly Performant Double Gate MOSFET realized with SON process. 2003 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING, TECHNICAL DIGEST, 2003, Unknown, Unknown Region. pp.449-452. ⟨hal-01759525⟩
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