Flash gate optimized process and integration for electrical performances requirement on advanced embedded memory - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2016

Flash gate optimized process and integration for electrical performances requirement on advanced embedded memory

Résumé

In this paper a correlation between specific inline and electrical parameters related to erase threshold voltage has been deeply investigated. This study shows the impact of the WL roughness on a NOR flash memory performances. A process recipe optimization and Run to Run feed-forward controller have been evaluated to keep the process in control.

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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Soumis le : mardi 20 mars 2018-09:30:48

Dernière modification le : mardi 17 septembre 2024-15:45:00

Archivage à long terme le : mardi 11 septembre 2018-08:47:18

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Dates et versions

hal-01737950 , version 1 (20-03-2018)

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Citer

El Amine Agharben, M. Bileci, A. Roussy, Marc Bocquet. Flash gate optimized process and integration for electrical performances requirement on advanced embedded memory. 2016 International Symposium on Semiconductor Manufacturing (ISSM), Dec 2016, Tokyo, Japan. ⟨10.1109/ISSM.2016.7934533⟩. ⟨hal-01737950⟩

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