Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2017
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https://hal.science/hal-01661735
Soumis le : mardi 12 décembre 2017-10:52:07
Dernière modification le : mardi 4 juin 2024-11:10:05
Citer
Nandha Kumar Subramani, Julien Couvidat, Ahmad Al Hajjar, Jean-Christophe Nallatamby, Didier Floriot, et al.. Low-Frequency Noise Characterization in GaN HEMTs: Investigation of Deep Levels and Their Physical Properties. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (8), pp.1109 - 1112. ⟨10.1109/LED.2017.2717539⟩. ⟨hal-01661735⟩
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