CVD diamond Schottky barrier diode. Simulation, carrying out and edge termination techniques
Diode Schottky sur diamant CVD. Simulation, réalisation technologique et étude de protection périphérique
Résumé
Diamond is a wide band gap semiconductor material with outstanding properties for power electronic applications. Its use as an electronic material should allow the rise of a new generation of devices with performance ever achieved to date, particularly in high power and/or high temperature application field. In this paper, we present the development of diamond processing technology for high power electronic devices. The current state of work is illustrated by p-type CVD diamond Schottky barrier diode Sentaurus TCAD simulations, carrying out and an extensive study of edge termination techniques. The material quality and our processes are discussed in light of the obtained results.
Le diamant est un semi-conducteur grand gap aux propriétés exceptionnelles qui en font un matériau idéal pour l’électronique de puissance. Son utilisation devrait permettre le développement d’une nouvelle génération de dispositifs avec des performances jamais atteintes à ce jour, notamment dans le domaine des applications à forte puissance et/ou haute température. Dans cet article, nous présentons le développement de la filière technologique nécessaire à la réalisation de composants sur diamant. Nous présentons ici l’état actuel de nos travaux selon deux axes ; d’une part la plate-forme de simulation développée sur le support Sentaurus TCAD, et d’autre part le développement de différentes briques technologiques nécessaire à la réalisation des premières diodes Schottky. Ces résultats nous permettent de discuter de la qualité du matériau et de nos procédés.
Domaines
Electronique| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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