Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2017
Etienne Gheeraert : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01617256
Soumis le : lundi 16 octobre 2017-14:23:14
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:39:28
Citer
Thanh-Toan Pham, Julien Pernot, Gaëtan Perez, David Eon, Etienne Gheeraert, et al.. Deep-depletion mode boron doped monocrystalline diamond metal oxide semiconductor field effect transistor. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (11), pp.1571-1574. ⟨10.1109/LED.2017.2755718⟩. ⟨hal-01617256⟩
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