Deep-depletion mode boron doped monocrystalline diamond metal oxide semiconductor field effect transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2017

Deep-depletion mode boron doped monocrystalline diamond metal oxide semiconductor field effect transistor

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01617256 , version 1 (16-10-2017)

Identifiants

Citer

Thanh-Toan Pham, Julien Pernot, Gaëtan Perez, David Eon, Etienne Gheeraert, et al.. Deep-depletion mode boron doped monocrystalline diamond metal oxide semiconductor field effect transistor. IEEE Electron Device Letters, 2017, 38 (11), pp.1571-1574. ⟨10.1109/LED.2017.2755718⟩. ⟨hal-01617256⟩
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