Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Plasma Processes and Polymers Année : 2017

Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01577605 , version 1 (26-08-2017)

Identifiants

Citer

Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Violetta Georgieva, Rémi Dussart, Erik Neyts, et al.. Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas. Plasma Processes and Polymers, 2017, 14 (9), pp.1700018. ⟨10.1002/ppap.201700018⟩. ⟨hal-01577605⟩
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