Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Plasma Processes and Polymers Année : 2017

Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas

Stefan Tinck
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 965232
Research group PLASMANT
Thomas Tillocher
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
CV
Violetta Georgieva
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT
Rémi Dussart
Groupe de recherches sur l'énergétique des milieux ionisés
Erik Neyts
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT
Annemie Bogaerts
  • Fonction : Auteur
Research group PLASMANT

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics] Physique [physics]

Rémi Dussart  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01577605

Soumis le : samedi 26 août 2017-19:16:33

Dernière modification le : vendredi 6 décembre 2024-14:10:03

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Dates et versions

hal-01577605 , version 1 (26-08-2017)

Identifiants

Citer

Stefan Tinck, Thomas Tillocher, Violetta Georgieva, Rémi Dussart, Erik Neyts, et al.. Concurrent effects of wafer temperature and oxygen fraction on cryogenic silicon etching with SF6/O2 plasmas. Plasma Processes and Polymers, 2017, 14 (9), pp.1700018. ⟨10.1002/ppap.201700018⟩. ⟨hal-01577605⟩

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