Conception d'un modulateur de puissance large-bande à deux étages en technologie GaN
Résumé
Dans cet article, nous présentons un modulateur de puissance large-bande 25W, sans mélangeur, conçu en technologie GaN haute tension (50 V). L’objectif principal de cette étude est de démontrer l’intérêt à fusionner les fonctions de modulation d’amplitude et d’amplification de puissance afin d’obtenir des performances élevées : un rendement en puissance ajoutée d’environ 40% sur une bande passante de 400 MHz est atteint avec des
variations de gain de 10 dB. En utilisant une puissance d’oscillateur local de 19 dBm, une plage de gain en puissance allant de 13 à 24 dB est obtenue selon une commande de polarisation de drain variant entre 15 et 45V.
| Origine | Fichiers produits par l'(les) auteur(s) |
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