Spontaneously formation of GaN/AlN core-shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2016

Spontaneously formation of GaN/AlN core-shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy

Agnès Trassoudaine
  • Fonction : Auteur
Geoffrey Avit
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 774335
  • IdRef : 186145845
Yamina André
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Mohammed Réda Ramdani
  • Fonction : Auteur
Elissa Roche
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 779390
  • IdRef : 201722143
Catherine Bougerol
Evelyne Gil
Guillaume Monier
Dominique Castelluci
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Vladimir G. Dubroskii
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Dates et versions

hal-01385444 , version 1 (21-10-2016)

Identifiants

Citer

Agnès Trassoudaine, Geoffrey Avit, Yamina André, Mohammed Réda Ramdani, Elissa Roche, et al.. Spontaneously formation of GaN/AlN core-shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 2016, 454, pp.1-5. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.031⟩. ⟨hal-01385444⟩

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