Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2016
Catherine Bougerol : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01385444
Soumis le : vendredi 21 octobre 2016-13:12:58
Dernière modification le : mercredi 26 juin 2024-15:08:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01385444 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2016.08.031
Citer
Agnès Trassoudaine, Geoffrey Avit, Yamina André, Mohammed Réda Ramdani, Elissa Roche, et al.. Spontaneously formation of GaN/AlN core-shell nanowires on sapphire by hydride vapor phase epitaxy. Journal of Crystal Growth, 2016, 454, pp.1-5. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2016.08.031⟩. ⟨hal-01385444⟩
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