Characterization and modeling of nonlinear trapping effects in power SiC MESFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01279780 , version 1 (26-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01279780 , version 1

Citer

Delphine Siriex, Denis Barataud, Raphaël Sommet, O Noblanc, Zineb Ouarch, et al.. Characterization and modeling of nonlinear trapping effects in power SiC MESFETs. Microwave Symposium Digest., 2000 IEEE MTT-S International, 2000, Unknown, Unknown Region. pp.765--768 vol.2. ⟨hal-01279780⟩

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