Characterization and modeling of bias dependent breakdown and self-heating in GaInP/GaAs power HBT to improve high power amplifier design - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques Année : 2002

Characterization and modeling of bias dependent breakdown and self-heating in GaInP/GaAs power HBT to improve high power amplifier design

Sylvain Heckmann
  • Fonction : Auteur
Jean-Michel Nebus
Didier Floriot
  • Fonction : Auteur
UMS
Philippe Auxemery
  • Fonction : Auteur
UMS

Résumé

no abstract

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01279572 , version 1 (26-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01279572 , version 1

Citer

Sylvain Heckmann, Raphaël Sommet, Jean-Michel Nebus, Jean-Claude Jacquet, Didier Floriot, et al.. Characterization and modeling of bias dependent breakdown and self-heating in GaInP/GaAs power HBT to improve high power amplifier design. IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2002, 50 (12), pp.2811--2819. ⟨hal-01279572⟩

Collections

UNILIM CNRS XLIM
36 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More