LDMOSFET and SiGeC HBT integrated in a 0.25um BiCMOS technology for RF-PA applications
Résumé
no abstract
Raphael Sommet : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01279420
Soumis le : vendredi 26 février 2016-10:43:54
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:02