LDMOSFET and SiGeC HBT integrated in a 0.25um BiCMOS technology for RF-PA applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01279420 , version 1 (26-02-2016)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01279420 , version 1

Citer

Dorothée Muller, Alexandre Giry, Caroline Arnaud, C Arricastres, Raphaël Sommet, et al.. LDMOSFET and SiGeC HBT integrated in a 0.25um BiCMOS technology for RF-PA applications. BCTM, 2004, Unknown, Unknown Region. ⟨hal-01279420⟩

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