MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2015

MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content

Pierre Disseix
François Reveret
Joël Leymarie
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 835166

Résumé

Five-period AlN/BAlN heterostructure containing boron as high as 11% has been successfully grown by MOVPE. Good periodicity of two alternative layers has been observed by both SIMS profile and Z-contrast HAADF-STEM images. The BAlN layers demonstrate columnar polycrystalline feature. The BAlN layers exhibit an emission peak by CL and absorption edge in transmission spectra at around 260 nm. The results enable the development of BAlGaN based multi-layered heterostructure for UV and deep UV applications.

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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dates et versions

hal-01212596 , version 1 (13-01-2022)

Licence

Paternité - Pas d'utilisation commerciale

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Citer

Xin Li, Suresh Sundaram, Youssef El-Gmili, Frédéric Genty, Sophie Bouchoüle, et al.. MOVPE grown periodic AlN/BAlN heterostructure with high boron content. Journal of Crystal Growth, 2015, 414, pp.119-122. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2014.09.030⟩. ⟨hal-01212596⟩
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