Communication Dans Un Congrès Année : 2015

An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET

Résumé

Among wide band gap material for power electronic, Silicon Carbide (SiC) is the most advanced and starts to gain market shares. We have studied planar SiC MESFET ESD robustness. To solve the problem of their low intrinsic ESD robustness, we demonstrate in this work an effective protection solution and possible improvements.

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An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon Carbide MESFET _TanguyPhulpin2.pdf (2.46 Mo) Télécharger le fichier
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hal-01178266 , version 1 (17-07-2015)

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  • HAL Id : hal-01178266 , version 1

Citer

Tanguy Phulpin, David Trémouilles, Karine Isoird, Dominique Tournier, Philippe Godignon, et al.. An Electrostatic-Discharge-Protection Solution for Silicon-Carbide MESFET. EOS/ESD Symposium, Sep 2015, Reno, United States. ⟨hal-01178266⟩
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