Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p à base de carbure Ti3SiC2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p à base de carbure Ti3SiC2

Tony Abi Tannous
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 960087

Résumé

Dans le but d'améliorer les contacts électriques sur 4H-SiC de type p, nous explorons la possibilité d'utiliser des phases MAX comme le Ti3SiC2, car son travail de sortie a été déterminé comme étant de 5,07 ± 0.1 eV. Cette valeur n'est pas trop loin de celle du SiC type p (~7eV), ce qui permet de réduire la hauteur de barrière. Dans le but d'élaborer le Ti3SiC2 sur SiC, un film mince de 200 nm d'un alliage TixAl1-x a été déposé sur SiC-4H (0001) 8°off pleine plaque. Dans cette étude, on a fait varier la concentration du Ti et d'Al dans le dépôt en allant de (Ti20Al80 à Ti50Al50), et on a aussi varié la température de recuit de 900°C à 1200°C pour chaque type de concentration. Des analyses structurales comme le DRX et MET ont été effectuées sur tous les échantillons qui ont subi un recuit. On remarque que la formation d'une couche de Ti3SiC2 pure a été obtenue pour une température de recuit de 1000°C. De plus, on a déterminé que la couche a subi une croissance épitaxiale par rapport au substrat. Ensuite des structures TLM (Transfer Length Method) ont été fabriquées sur des couches epitaxiales de SiC-4H de type P avec des concentrations de l'ordre de 2x1019 at/cm3, afin d'évaluer la résistance spécifique de contacts.
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Dates et versions

hal-01083917 , version 1 (18-11-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01083917 , version 1

Citer

Tony Abi Tannous. Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p à base de carbure Ti3SiC2. JCGE, Jun 2014, Saint-Louis, France. ⟨hal-01083917⟩
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