Electrical characteristics of mixed Zr-Si oxide thin films prepared by ion beam induced chemical vapor deposition at room temperature - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Thin Solid Films Année : 2009

Electrical characteristics of mixed Zr-Si oxide thin films prepared by ion beam induced chemical vapor deposition at room temperature

F. J. Ferrer
  • Fonction : Auteur
F. Frutos
  • Fonction : Auteur
J. García-López
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Matériaux

Dates et versions

hal-01067069 , version 1 (22-09-2014)

Identifiants

Citer

F. J. Ferrer, F. Frutos, J. García-López, Carmen Jiménez, F. Yubero. Electrical characteristics of mixed Zr-Si oxide thin films prepared by ion beam induced chemical vapor deposition at room temperature. Thin Solid Films, 2009, 517 (18), pp.5446-5452. ⟨10.1016/j.tsf.2009.01.099⟩. ⟨hal-01067069⟩

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