Electrical characteristics of mixed Zr-Si oxide thin films prepared by ion beam induced chemical vapor deposition at room temperature
Résumé
no abstract
Labo Lmgp : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01067069
Soumis le : lundi 22 septembre 2014-18:53:15
Dernière modification le : vendredi 12 avril 2024-18:32:05