Plasma deep etching of silicon, titanium and gallium nitride for microtechnology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01006364 , version 1 (15-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01006364 , version 1

Citer

Remi Dussart, Philippe Lefaucheux, Thomas Tillocher, Nicolas Gosset, Julien Ladroue, et al.. Plasma deep etching of silicon, titanium and gallium nitride for microtechnology. AVS 60th International Symposium & Exhibition, Oct 2013, United States. ⟨hal-01006364⟩
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