Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes

Résumé

Dans ce papier, une étude est proposée afin de trouver une alternative à la technologie IGBT 1200 Volts avec une technologie MOS innovante. Quatre technologies sont présentées et comparée : L'UMOSFET, l'OBUMOSFET, le SJVDMOSFET et le DTMOSFET. Une étude comparative, à l'aide de simulations 2D, des structures de même tenue en tension nous a permis d'écarter certaines technologies, incapable de concurrencer les performances statiques d'un IGBT 1200Volts

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://hal.science/hal-01005697

Soumis le : vendredi 13 juin 2014-10:52:59

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:17

Archivage à long terme le : samedi 13 septembre 2014-10:55:52

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Dates et versions

hal-01005697 , version 1 (13-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01005697 , version 1

Citer

Loïc Théolier, Karine Isoird, Frédéric Morancho, Jaume Roig Guitart. Conception de transistors MOS haute tension (1200 Volts) à tranchées profondes. ISP3D, Oct 2006, Montpellier, France. ⟨hal-01005697⟩

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