High temperature chemical vapor deposition of aluminum nitride, growth and evaluation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00946648 , version 1 (13-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00946648 , version 1

Citer

M. Pons, R. Boichot, N. Coudurier, A. Claudel, E. Blanquet, et al.. High temperature chemical vapor deposition of aluminum nitride, growth and evaluation. European Conference on Chemical Vapor Deposition, EUROCVD19, 2013, Varna, Bulgaria. ⟨hal-00946648⟩
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