Evidence of two sensitization processes of Nd3+ ions in Nd-doped SiOx films - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2013

Dates et versions

hal-00846348 , version 1 (19-07-2013)

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Citer

Chuan-Hui Liang, Julien Cardin, Christophe Labbé, Fabrice Gourbilleau. Evidence of two sensitization processes of Nd3+ ions in Nd-doped SiOx films. Journal of Applied Physics, 2013, 114, pp.033103. ⟨10.1063/1.4813610⟩. ⟨hal-00846348⟩
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