Self-assembly patterning using block copolymer for advanced CMOS technology: optimisation of plasma etching process - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808863 , version 1 (07-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808863 , version 1

Citer

T. Chevolleau, G. Cunge, M. Delalande, X. Chevalier, R. Tiron, et al.. Self-assembly patterning using block copolymer for advanced CMOS technology: optimisation of plasma etching process. SPIE-AL, 2012, San Jose, CA, United States. ⟨hal-00808863⟩
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