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Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Raman investigation of aluminum-doped 4H-SiC

Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 995143
Pawel Kwasnicki
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 998823
Herve Peyre
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 984304
Leszek Konczewicz
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 995144
Sylvie Contreras
Marcin Zielinski
  • Fonction : Auteur
Jean Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1039625

Résumé

Raman scattering spectra have been collected on p-type 4H-SiC samples doped with aluminum up to 5×10^19 atoms per cubic cm. The distortion and asymmetry of FTA modes which appear in the low frequency range has been probed in great details. We show that, using standard Fano formulae with three parameters per mode, one can successively fit all FTA modes profiles in the concentration range 2×10^16 - 5×10^19 Al.cm-3
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00803766 , version 1 (22-03-2013)

Identifiants

Citer

Sandrine Juillaguet, Pawel Kwasnicki, Herve Peyre, Leszek Konczewicz, Sylvie Contreras, et al.. Raman investigation of aluminum-doped 4H-SiC. ECSCRM 2012, Sep 2012, Saint-Petersburg, Russia. pp.357-360, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.357⟩. ⟨hal-00803766⟩
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