Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Materials Science Forum Année : 2013

Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs

Rémy Ouaida
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 933492
Cyril Buttay
Anh Dung Hoang
  • Fonction : Auteur
Raphaël Riva
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 926284
Dominique Bergogne
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 902061
Hervé Morel
Christophe Raynaud
Florent Morel

Résumé

Silicon Carbide (SiC) Junction-Field Effect Transistors (JFETs) are attractive devices for power electronics. Their high temperature capability should allow them to operate with a reduced cooling system. However, experiments described in this paper conclude to the existence of runaway conditions in which these transistors will reach destructive temperatures.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-00799884 , version 1 (12-03-2013)

Identifiants

Citer

Rémy Ouaida, Cyril Buttay, Anh Dung Hoang, Raphaël Riva, Dominique Bergogne, et al.. Thermal Runaway Robustness of SiC VJFETs. Materials Science Forum, 2013, 740-742, pp.929-933. ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.740-742.929⟩. ⟨hal-00799884⟩
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