Schottky barrier height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2012

Schottky barrier height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation

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hal-00790413 , version 1 (16-09-2024)

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F. Ravaux, Emmanuel Dubois, Z.K. Chen. Schottky barrier height reduction using strained silicon-on-insulator and dopant segregation. Microelectronic Engineering, 2012, 98, pp.391-394. ⟨10.1016/j.mee.2012.05.045⟩. ⟨hal-00790413⟩
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