STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Brevet Année : 2012

STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCE

Dominique Tournier
Pierre Brosselard
Florian Chevalier
  • Fonction : Auteur

Résumé

Cette structure comporte un substrat (1) de type n, présentant une face inférieure (10) et une face supérieure (11), un drain (D) en contact avec la face inférieure (10) du substrat (1), une première région semi-conductrice (2), de type n, présentant une surface supérieure (21) munie d'une zone de contact (210), une source (S) en contact avec la zone de contact (210), une deuxième région semi-conductrice (3), de type p, agencée à l'intérieur de la première région semi-conductrice (2) et délimitant un premier et un second canal de conduction (C1, C2) entre le drain et la source, et est remarquable en ce qu'elle comporte une première et une seconde grille (G1, G2) métalliques présentant chacune une portion (40, 71) en contact avec la première région semi-conductrice (2) de manière à former une jonction de type Schottky.

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00786379 , version 1 (08-02-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00786379 , version 1

Citer

Dominique Tournier, Pierre Brosselard, Florian Chevalier. STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCE. France, N° de brevet: FR2963479. 2012, pp.22. ⟨hal-00786379⟩
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