STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE POUR INTERRUPTEUR ELECTRONIQUE DE PUISSANCE
Résumé
Cette structure comporte un substrat (1) de type n, présentant une face inférieure (10) et une face supérieure (11), un drain (D) en contact avec la face inférieure (10) du substrat (1), une première région semi-conductrice (2), de type n, présentant une surface supérieure (21) munie d'une zone de contact (210), une source (S) en contact avec la zone de contact (210), une deuxième région semi-conductrice (3), de type p, agencée à l'intérieur de la première région semi-conductrice (2) et délimitant un premier et un second canal de conduction (C1, C2) entre le drain et la source, et est remarquable en ce qu'elle comporte une première et une seconde grille (G1, G2) métalliques présentant chacune une portion (40, 71) en contact avec la première région semi-conductrice (2) de manière à former une jonction de type Schottky.