Microwave performance of 100 nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2011

Microwave performance of 100 nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate

J. Shi
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
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Dates et versions

hal-00783377 , version 1 (27-05-2022)

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Citer

J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Microwave performance of 100 nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate. Applied Physics Letters, 2011, 99, pp.203505-1-3. ⟨10.1063/1.3663533⟩. ⟨hal-00783377⟩
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