Microwave performance of 100 nm-gate In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate
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Sciences de l'ingénieur [physics]Origine | Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte |
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Soumis le : vendredi 27 mai 2022-15:47:33
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:46
Archivage à long terme le : lundi 3 octobre 2022-15:05:33