Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Conception d'un amplificateur de puissance à 2 étages intégrant une préformation de la tension de commande d'entrée

Alaaeddine Ramadan
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918000
Tibault Reveyrand
Jean-Michel Nebus
Philippe Bouysse
L. Lapierre
  • Fonction : Auteur
J.F. Villemazet
  • Fonction : Auteur
Stéphane Forestier
  • Fonction : Auteur

Résumé

Ce papier présente une technique damélioration du rendement en puissance ajoutée (PAE) dun amplificateur GaN par la préformation de la tension de commande de grille du transistor. Cette étude est effectuée à la fréquence de 2 GHz en utilisant des transistors GaN 15W de la fonderie CREE. Lamplificateur de puissance à 2 étages présente un rendement en puissance ajoutée (PAE) de 72% associé à une puissance de 41.8 dBm à 3dB de compression de gain à la fréquence centrale. Cet amplificateur comprend un étage de puissance fonctionnant en classe F et un étage driver spécifique pour réaliser une préformation de la tension de commande dentrée de létage de puissance. Cette technique permet dobtenir de bonnes performances en rendement sur une bande de fréquence assez large, ce qui constitue une difficulté majeure dans le domaine de lamplification de forte puissance. Dans le cas présenté une valeur de PAE supérieure à 60% est obtenue sur 25% de bande avec une puissance de sortie maintenue à 15 W.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00700380 , version 1 (22-05-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00700380 , version 1

Citer

Alaaeddine Ramadan, Tibault Reveyrand, Jean-Michel Nebus, Philippe Bouysse, L. Lapierre, et al.. Conception d'un amplificateur de puissance à 2 étages intégrant une préformation de la tension de commande d'entrée. 17eme Journées Nationales Micro-ondes (JNM 2011), May 2011, Brest, France. pp.1C1. ⟨hal-00700380⟩

Collections

127 Consultations
0 Téléchargements

Partager

  • More