Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences

Résumé

This paper presents an original study about the effect of hot carrier injection stress on the DC offsets induced by electromagnetic interferences (EMI) on a nanometric NMOS transistor, which is one of the major sources of failures in analog circuits. Measurements and simulations based on a simple model (Sakurai-Newton model) of fresh and stressed transistors are presented showing significant variations of EMI-induced DC shifts of drain current.

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Soumis le : lundi 13 février 2012-17:29:28

Dernière modification le : mardi 9 avril 2024-08:56:04

Archivage à long terme le : lundi 14 mai 2012-02:51:27

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Dates et versions

hal-00669726 , version 1 (13-02-2012)

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  • HAL Id : hal-00669726 , version 1

Citer

Binhong Li, Nestor Berbel, Alexandre Boyer, Sonia Ben Dhia, Raul Fernandez-Garcia. Study of the impact of hot carrier injection to immunity of MOSFET to electromagnetic interferences. European Symposium on the Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 2011), Oct 2011, Bordeaux, France. pp.1557. ⟨hal-00669726⟩

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