Article Dans Une Revue ECS Transactions Année : 2011

Porous SiOCH integration: etch challenges with a trench first metal hard mask approach

Résumé

The use of a metallic hard mask approach for porous dielectric film integration implies for patterning processes, different difficulties like dimensional control, bottom line roughness and residue formation or chamber conditioning. In this paper we propose to present these issues and associated solutions for p-SiOCH integration in dual damascene structure using a trench first metallic hard mask approach.

Fichier principal
Vignette du fichier
Posseme2011.pdf (358.12 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
Licence

Dates et versions

hal-00647490 , version 1 (13-10-2022)

Licence

Identifiants

Citer

Nicolas Possémé, Thibaut David, Thierry Chevolleau, Maxime Darnon, Philippe Brun, et al.. Porous SiOCH integration: etch challenges with a trench first metal hard mask approach. ECS Transactions, 2011, 34, pp.389. ⟨10.1149/1.3567609⟩. ⟨hal-00647490⟩
368 Consultations
660 Téléchargements

Altmetric

Partager

  • More