Réalisation de Diodes SiC Simples pour l'Etude de Passivations
Résumé
Des diodes bipolaires SiC avec terminaison mesa simple ont été conçues et réalisées pour l'étude de passivations primaires. Pour vérifier l'efficacité de la protection périphérique, l'influence de la variation de la hauteur mesa a été simulée et comparée avec les résultats mesurés à partir des diodes réalisées. La dépendance de la hauteur mesa a pu être montrée, aussi bien vis-à-vis du niveau du courant de fuite que vis-à-vis de la tenue en tension. La sensibilité de ces caractéristiques vis-à-vis de charges aux interfaces fait de ces diodes, des composants très adéquats pour l'étude de passivations.