Réalisation de Diodes SiC Simples pour l'Etude de Passivations - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Réalisation de Diodes SiC Simples pour l'Etude de Passivations

Résumé

Des diodes bipolaires SiC avec terminaison mesa simple ont été conçues et réalisées pour l'étude de passivations primaires. Pour vérifier l'efficacité de la protection périphérique, l'influence de la variation de la hauteur mesa a été simulée et comparée avec les résultats mesurés à partir des diodes réalisées. La dépendance de la hauteur mesa a pu être montrée, aussi bien vis-à-vis du niveau du courant de fuite que vis-à-vis de la tenue en tension. La sensibilité de ces caractéristiques vis-à-vis de charges aux interfaces fait de ces diodes, des composants très adéquats pour l'étude de passivations.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00618701 , version 1 (02-09-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00618701 , version 1

Citer

Gontran Pâques, Sigo Scharnholz, Jens-Peter Konrath, Bertrand Vergne, Nicolas Dheilly, et al.. Réalisation de Diodes SiC Simples pour l'Etude de Passivations. 13ème EPF, Jun 2010, Saint-Nazaire, France. ⟨hal-00618701⟩
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