Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2010

Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596201 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596201 , version 1

Citer

V. Puget, G. Bossu, P. Masson, P. Mazoyer, R. Ranica, et al.. Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57 (4), pp.855-865. ⟨hal-00596201⟩
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