Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2010

Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application

V. Puget
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Bossu
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
P. Masson
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
P. Mazoyer
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
R. Ranica
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
A. Villaret
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
Jean-Michel Portal
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
D. Rideau
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
R. Bouchakour
  • Fonction : Auteur
Institut des Matériaux, de Microélectronique et des Nanosciences de Provence
G. Jacquemod
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]

Domaines

Autre [cond-mat.other] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00596201

Soumis le : jeudi 26 mai 2011-16:43:12

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:23:39

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596201 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596201 , version 1

Citer

V. Puget, G. Bossu, P. Masson, P. Mazoyer, R. Ranica, et al.. Modeling the Independent Double Gate Transistor in Accumulation Regime for 1TDRAM Application. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57 (4), pp.855-865. ⟨hal-00596201⟩

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